SVF4N60CAMJ دیتاشیت

SVF4N60CAMJ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N60CAMJ
حجم فایل 70.093 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SVF4N60CAMJ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAMJ
  • Power Dissipation (Pd): 86W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه